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SILICON POWER DDR3 4Go 1600MHz CL11 1.5V
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Description
Tableau technique
| Informations générales | |
| Désignation: | SILICON POWER DDR3 4Go 1600MHz CL11 1.5V |
| Description: | SILICON POWER – DDR3 – module – 4 Go – DIMM 240 broches – 800 MHz / PC3-12800 – CL11 – 1.5 V – mémoire sans tampon – non ECC |
| Code EAN: | 4712702626988 |
| Garantie Fabricant : |
Garantie à vie |
| Général | |
| Capacité: |
4 Go |
| Type de mise à niveau: |
Générique |
| Mémoire | |
| Type: |
DRAM module mémoire |
| Technologie: |
DDR3 SDRAM |
| Format: |
DIMM 240 broches |
| Hauteur du module (en pouces): |
1.2 |
| Vitesse: |
800 MHz (PC3-12800) |
| Temps de latence: |
CL11 (11-11-11) |
| Vérification de l’Intégrité des Données: |
Non ECC |
| Fonctions: |
Un rang, terminaison intégrée(ODT), Serial Presence Detect (SPD), mémoire sans tampon |
| Configuration de module: |
512 x 64 |
| Organisation des puces: |
512 x 8 |
| Tension: |
1.5 V |
| Placage du connecteur: |
Or |
Informations complémentaires
| Poids | 0,03 kg |
|---|---|
| Dimensions | 17,4 × 6,7 × 1,5 cm |
| Facteur de forme RAM | |
| Technologie RAM | |
| Capacité | |
| Spécification du module de mémoire | |
| Support CCE | |
| Mémoire enregistrée ou tampon |
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